項(xiàng)目簡(jiǎn)介:
本項(xiàng)目屬于低維納米結(jié)構(gòu)與材料物理研究領(lǐng)域,涉及硅及氧化物納米線結(jié)構(gòu)的制備與物性研究。功能準(zhǔn)一維納米線是一種特殊的低維納米結(jié)構(gòu),不僅是電荷的最小載體及研究小尺度世界科學(xué)規(guī)律的理想研究對(duì)象,也是構(gòu)造復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)與納米器件的理想基元,成為材料、物理、電子等交領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本項(xiàng)目主要?jiǎng)?chuàng)新性研究成果如下:
一、成功地制備了硅納米線,極大地推動(dòng)了納米線研究: 早期的硅量子線制備主要是基于自上而下的光刻技術(shù),雖然Westwater 等用CVD 法制備硅納米線(JVST B 1997),但未引關(guān)注。俞大鵬等(Solid State Commun. 105, 403,1998)與哈佛大學(xué)(Science 279, 208 1998)同時(shí)獨(dú)立地用脈沖激光法成功制備了free-standing 硅納米線。我們也開(kāi)創(chuàng)簡(jiǎn)單物理蒸發(fā)法制備硅等半導(dǎo)體納米線(APL 72, 3458, 1998)研究之先河。
二、開(kāi)拓氧化物納米線研究新領(lǐng)域,引發(fā)一系列研究熱點(diǎn): 氧化物半導(dǎo)體材料由于獨(dú)特的抗氧化、寬禁帶、氣敏、壓電效應(yīng)等物理性質(zhì)受到了國(guó)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。我們不僅率先在國(guó)際上制備了SiO2(1998,他人引用160 次)、GeO2(1999,他人引用105 次)、Ga2O3(1999,他人引用126 次)等氧化物納米線,也是ZnO 納米線研究的原創(chuàng)性研究小組之一,單篇論文他引263 次。氧化物納米線極大地豐富了納米線研究的內(nèi)涵,并可能對(duì)未來(lái)納米器件等應(yīng)用產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。我們還開(kāi)展了納米線的生長(zhǎng)機(jī)理、發(fā)光、場(chǎng)發(fā)射等物理性質(zhì)。本項(xiàng)目的實(shí)施極大低推動(dòng)了國(guó)際納米線的研究,共在國(guó)際重要學(xué)術(shù)刊物,包括Appl. Phys. Letters、Phys. Rev. B、Advanced Materials、JACS、JPCB等上發(fā)表與納米線結(jié)構(gòu)相關(guān)的學(xué)術(shù)論文91篇。其中,影響因子大于3的論文數(shù)超過(guò)一半。本項(xiàng)目地創(chuàng)新性最直觀地反映在論文的他人引用上,累計(jì)次數(shù)2309 次,其中6篇論文的單篇引用超過(guò)100 次,形成廣泛影響。相關(guān)工作被第三世界科學(xué)院院長(zhǎng)Rao教授等眾多著名學(xué)者在其綜述文章中大量引用和詳細(xì)評(píng)述,并被哈佛著名學(xué)者Lieber 教授等高度評(píng)價(jià)(主要附件九4-1)。
主要發(fā)現(xiàn)點(diǎn):
在本項(xiàng)目開(kāi)始實(shí)施時(shí), 國(guó)際納米線研究仍處于初期階段,年發(fā)表論文數(shù)約5 篇,且主要是基于自上而下的光刻制備技術(shù)。雖然Westwater 等用CVD 法制備出硅納米線(JVST B,1997),但未引起太多關(guān)注。本項(xiàng)目的一系列創(chuàng)新性成果推動(dòng)了國(guó)際納米線研究的發(fā)展:
一、成功制備硅納米線,大大激發(fā)了硅納米線研究熱潮:俞大鵬等于1998 年第一次用脈沖激光高溫沉積法獲得了高品質(zhì)的納米硅量子線,這對(duì)于微電子加工技術(shù)已達(dá)到物理極限的今天具有重要意義。在該文章中,我們敏銳地預(yù)言,我們的工作"不僅提供了一種制備半導(dǎo)體、導(dǎo)體納米線材料新的強(qiáng)有力方法,所制備的硅納米線也是研究小尺寸結(jié)構(gòu)相關(guān)的物理現(xiàn)象如量子限制效應(yīng)等理想介質(zhì)。同時(shí),利用摻雜等手段,可以獲得摻雜的納米線、異質(zhì)結(jié)等新穎納米結(jié)構(gòu)等……"。上述預(yù)言很快被其他同行的后續(xù)研究工作所證實(shí)。需要指出的是,哈佛大學(xué)Lieber 小組與我們同時(shí)獨(dú)立地報(bào)道了這項(xiàng)研究成果,他們論文發(fā)表在科學(xué)雜志上(Science 279,208,1998,引用1300次以上),從另外一方面支持了我們這一研究成果的創(chuàng)新性和重要意義。在上述工作的基礎(chǔ)上,我們又創(chuàng)新性地采用簡(jiǎn)單物理熱蒸發(fā)的方法,制備了宏觀量的硅納米線(APL1998,他引156 次)。在該工作中,我們還預(yù)言,……"Our approach can be used, in principle, as a general method for synthesis of other one-dimensional semiconducting, or conducting nanowires"……。在我們的這項(xiàng)創(chuàng)新性工作的推動(dòng)下,物理蒸發(fā)氣相輸運(yùn)這種簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)的方法被國(guó)內(nèi)外同行廣泛采用,成為制備其它半導(dǎo)體納米線的重要方法之一。上述工作促進(jìn)了了國(guó)際納米線的研究。
二、把納米線制備概念拓展到了氧化物半導(dǎo)體新領(lǐng)域:氧化物半導(dǎo)體材料具有其他化合物半導(dǎo)體材料所不具備的性質(zhì),其獨(dú)特的耐高溫、抗氧化、具有較寬的禁帶、特殊的壓電特性、氣敏傳感特性等物理性能受到了國(guó)內(nèi)外同行廣泛關(guān)注。我們?cè)趪?guó)際上率先制備出了SiO2、GeO2、Ga2O3 等氧化物納米線(SCI檢索結(jié)果顯示上述工作均為第一次報(bào)道),也是國(guó)際上開(kāi)展ZnO 納米線原創(chuàng)性工作的研究小組之一。以上創(chuàng)新性成果極大地開(kāi)拓了半導(dǎo)體納米線研究的內(nèi)涵,引發(fā)國(guó)際上對(duì)SiO2、GeO2、Ga2O3、ZnO(分別他人引用160、104、126、263 次)等氧化物納米線的研究熱潮。
三、率先開(kāi)展了半導(dǎo)體納米線的物理性質(zhì)研究,促進(jìn)了納米線研究的深入開(kāi)展:通過(guò)對(duì)納米線顯微結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)、深入的分析,深刻理解了納米線的一維擇優(yōu)生長(zhǎng)機(jī)理;提出了非晶硅納米線陣列的固液固(SLS)生長(zhǎng)模型;通過(guò)比較發(fā)光與納米線直徑相互關(guān)系研究了硅納米線的量子限制效應(yīng),在ZnO 納米管中觀察到新的喇曼振動(dòng)模式;通過(guò)缺陷與摻雜機(jī)理研究調(diào)制了半導(dǎo)體納米線的物理性質(zhì),實(shí)現(xiàn)了ZnO納米線的鐵磁摻雜;研究了ZnO等納米線陣列作為集體行為的場(chǎng)發(fā)射電子性質(zhì)。發(fā)表相關(guān)的SCI收錄論文91篇,累計(jì)他人引用2000 余次。本項(xiàng)目的實(shí)施極大促進(jìn)了納米線的研究,現(xiàn)在國(guó)際上每年發(fā)表的相關(guān)論文數(shù)呈現(xiàn)指數(shù)增長(zhǎng)趨勢(shì),僅去年就達(dá)4000 余篇。
主要完成人:
1. 俞大鵬
俞大鵬教授負(fù)責(zé)整體研究項(xiàng)目的方案設(shè)計(jì)與實(shí)驗(yàn)方案、技術(shù)路線的提出,直接參與具體的研究工作,
推動(dòng)了硅等半導(dǎo)體納米線研究的開(kāi)展,開(kāi)創(chuàng)了氧化物納米線研究新領(lǐng)域,引發(fā)一系列研究熱點(diǎn)。俞大鵬在該項(xiàng)研究中的工作量占本人工作量的80%。
2. 馮孫齊
本項(xiàng)目中,他參加了硅納米線, Ga2 O3 納米線等材料的制備與表征工作,對(duì)本項(xiàng)目有重要貢獻(xiàn)。
馮孫齊在本項(xiàng)研究中的工作量占本人工作量的60%。
3. 徐軍
主要利用掃描電鏡進(jìn)行納米材料的形貌觀察和生長(zhǎng)機(jī)理分析;還利用電子束,離子束等最新的
納米加工手段加工納米電極等,協(xié)助對(duì)研究單根納米線的電子輸運(yùn)等進(jìn)行研究。徐軍在該項(xiàng)研究中的工作量占本人工作量的60%。
4. 薛增泉
薛增泉教授長(zhǎng)期從事真空電子物理,近年來(lái)特別是在納米電子學(xué)領(lǐng)域扮演重要角色。 在本項(xiàng)目中,他
和相關(guān)研究隊(duì)伍對(duì)硅納米線和氧化鋅等準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方法、生長(zhǎng)條件和生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了深入、系
統(tǒng)的研究。薛增泉在該項(xiàng)研究中的工作量占本人工作量的50%。
5. 奚中和
奚中和教授長(zhǎng)期從事非晶和納米晶半導(dǎo)體材料的研究。在本項(xiàng)目中,他對(duì)硅納米線和氧化鋅準(zhǔn)一維結(jié)
構(gòu)的生長(zhǎng)方法、生長(zhǎng)條件和生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了深入、系統(tǒng)的研究。奚中和在該項(xiàng)研究中的工作量占本人工作量的40%。
10篇代表性論文:
1. Synthesis of Nano-scale silicon wires by means of laser ablation at high temperature/ Solid State Communications
2. Silicon Nano-wires synthesized using simple physical evaporation/Applied Physics Letters
3. Direct evidence of quantum confinement evaluated from size dependence of the photoluminescence of silicon quantum wire/Physical Review B (Rapid Communications)
4. Amorphous silica nano wires: Intensive blue light emitters/Applied Physics Letters
5. Nano-scale GeO2 wires synthesized by physical evaporation/CHEM PHYS LETT
6. Nano-scale Ga2O3 wires synthesized using physical evaporation/Solid State Communications
7. Ultraviolet-emitting ZnO nanowires synthesized by a physical vapor deposition approach/Applied Physics Letters
8. Optical properties of the ZnO nanotubes synthesized via vapor phase growth,Applied Physics Letters
9. Efficient field emission from ZnO nanoneedle arrays/Applied Physics Letters
10. Synthesis, optical, and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor Zn1-xMnxO nanowires via vapor phase growth/Applied Physics Letters .
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